I-V曲線校正方法-分析方法：

E01，通過（式（76）-（80））進行修正，而作為E07標注的方法使用（式（88）)而不是（ 式（76）)。然后，可以利用固有參數的平移值來模擬目標條件下新的I-V曲線。

E02：血清法

Z初，我們有（方程（92）-（94））利用了SC、OC和MPP點。此外，由于平行電阻Rsh， 未知數減少到41使用在SC處計算的dI /dV的倒數進行近似（公式（97）)：

因此，只需要一個方程來求解系統。已知P = I·V對V的導數在MPP處必須為零，這樣就可以推 導出以下表達式（式（98））：

一旦參數，就可以使用平移方程，模擬任何目標條件下的曲線。塞拉等人。[60]建議使用

（公式（85）)代替（公式（77）)進行校正是.要轉換Iph，方法E02可使用（式（99）)，而方 法E08使用（式（100）)：

E03：東方巖的方法 

為了將未知數減少到3個，Orioli和Di Gangi [61]假設Iph等于ISC在相同條件下（等式（ 101）)： Iph1=ISC1(101) 這組方程由（方程（96）)和兩個新的附加方程（方程（102）和（103）)組成，這樣的未 知數為(Is1, m,接收站1):

一旦確定了未知數，這種方法將使用不同的程序來轉換飽和電流是.首先，我們假設接收站2= 接收站1和Rsh2=Rsh1.然后第2版使用（式（43）)進行計算。Z后，得到了新的值是2是由 （方程（104）)：

此方法E09與E03相同，但使用（式（88）)而不是（式（76）)來進行校正Iph. 

E04：DeSoto的方法 

德索托等人。[62]提供了一些平移方程來修正STCs的固有參數到其他輻照度和溫度的條件 (見（式（106）），二極管理想因子m沒有除以Eg如在之前的其他表達式中，要翻譯的是)：

該方程組由（方程式（92）-（94）和（98）)組成，要求解決一個額外的條件。利用平移 方程，可以表示Iph（T2）、Is（T2）和職業（T2）Iph1,是1和第1版，通過（式（109））-（ 111））：

因此，在工作溫度下，使用OC點可以實現第五個方程T2（式（112）)，并假設Rsh (T2) = Rsh1:

另一種可能性是使用（公式（88））來翻譯Iph，這的過程在本文中稱為E10。 

E05：托萊多方法 

這種由Toledo和Blanes [63]開發的方法需要從初始曲線中輸入四個任意的I-V點作為輸入 來提取SDM的參數。因此，對于每個點，我們都需要電壓坐標Vj、當前坐標Ij，以及在該點上的 I-V曲線的斜率。在我們的論文中，該方法使用SC、OC、MPP和MPP和OC之間的一個附加點進行了 測試，使用a-冪函數（在描述該方法的原始論文中定義）和= 10進行估計。 該方法是基于一個變量的單個方程的分辨率，稱為E。讓{V1，V2,V3,V4是四個選定點的電 壓坐標，I2,I3,I4這些點的當前坐標，以及{IIII}在這些點上關于V的斜率或導數。 首先， 以下函數{P1,P2,P3,P4}定義為：

在第二步中，{Q1, Q2, Q3, Q4}還定義了：

現在，可以定義多項式Z(E)（方程（121）)：

有必要找到一個小于任何{IIIII}的J對值的多項式的根。 這個值將等于輔助變量E。 然后，可以使用（方程（122）-（126））得到其他輔助變量K、D、C、B、A：

內在參數由（式（127）-（131））給出，假設在我們的論文中平行細胞的數量為Np= 1:

Z后，方法E05使用（公式（76）、（77）、（79）和（80））將這些參數轉換為G和T的其他 條件，并使用SDM（公式(9)）對I-V曲線進行模擬。在方法E11的情況下，（式（76）)用（式 （88）)代替。 

E06：肖的方法 

為了減少SDM中未知參數的數量，該方法忽略了平行電阻，i。e. , Rsh! ￥ .另一個合理 的簡化方法是識別所生成的照片Iph1 電流與短路電流有關ISC1( Iph1=ISC1).因此，需要三個方 程組來求解這個方程組。D一個是MPP點下的SDM模型（式（132）)：

第二個方程可以是飽和電流is的表達式1作為二極管理想性因子m的函數：

第三個方程來自于串聯電阻Rs的表達式1，根據理想性因子m（方程式（134）和（135）)：

Z后一步是修正來自(G1，T1）至(G2，T2使用 （公式（76）、（77）、（79）和（80）)。方法E12是相同的，但是使用了（式（88）)而不 是（式（76）)。

鏈接：IEC60891和其他溫度和輻照度校正程序與光伏器件I-V特性的比較